采用双层壳体结构和31段程序控温系统，移相触发，可控
硅控制。升温速率快，炉膛采用氧化铝进行保温，保温效
果好，炉外温度≤55℃。炉门口设有挡火炉门，起到隔热
作用，降低出口温度，适应各种烧结工艺。                                                 

技术参数                                                          加

热元件：电阻丝、硅碳棒、硅钼棒
工作温度：1200℃、1400℃、1700℃
控温精度：±1℃
保温材料：氧化铝陶瓷纤维
电压：220V、380V
真空度：-0.1MPA