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热门关键词:第三代半导体材料 氮化镓  氧化镓  锑化镓 高纯镓 高纯碳源 

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MBE用高纯镓

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高纯镓,纯度7N,7N5,8N

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高纯镓,纯度7N,7N5,8N

高纯镓,可用于分子束外延生长砷化镓(GaAs),磷化镓(GaP),锑化镓(GaSb)等半导体,也可用于柔性电路,热界面材料等。


性状淡蓝色金属,液态时为银白色
分子量
69.72
密度5.904 g/cm3
熔点29.76℃
沸点2403℃



可以提供纯度在 99.99999%(7N) 、99.999995%(7N5) 及 99.999999%(8N) 的单质镓


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