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热门关键词:第三代半导体材料 氮化镓  氧化镓  锑化镓 高纯镓 高纯碳源 

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真空管式炉

真空管式炉

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产品描述

以电阻丝、硅碳棒、硅钼棒为加热元件,采用双层壳体结构和31段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,炉膛内采用节能型的氧化铝陶瓷纤维材料,真空成型纤维聚轻板材料。双层结构,可将外表温度降到常温并使得内腔温度分布均匀

技术参数

加热元件:电阻丝、硅碳棒、硅钼棒工作温度:1200'C、1400'C、1700°C、

控温精度:士1°C

炉膛材质:氧化铝陶瓷纤维电压:单相220V、两相380V



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