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热门关键词:第三代半导体材料 氮化镓  氧化镓  锑化镓 高纯镓 高纯碳源 

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碳化硅衬底

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碳化硅衬底

碳化硅衬底,可用于制造功率器件,制造高频、高功率的射频(RF)器件。

尺寸:可提供2、4、6、8英寸。(根据客户定制)

晶型4H
晶片方向向<11-20>偏转4.0°±0.5°
主定位边方向{10-10} ±5.0°
电阻率0.015-0.024 Ω·cm

类型:导电型、绝缘型。(根据客户定制)

详细信息请联系我们https://www.yjz.top/website/index.php?_m=wp_frontpage&_a=index&id=92&sessionid=a1cf0ee65d517f2c5ef5ee48baa7c521


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