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热门关键词:第三代半导体材料 氮化镓  氧化镓  锑化镓 高纯镓 高纯碳源 

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碳化硅外延片

碳化硅外延片

碳化硅外延片

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碳化硅外延片

碳化硅外延片,可用于制作主要包括SBD、MOSFET、IGBT、JBS等。

尺寸:3、4、6、8.(根据客户定制)

晶型4H
晶片方向向<11-20>偏转4.0°±0.5°
载流子浓度1E14-2E19cm-3
表面缺陷<1.0cm-2

类型:n型、p型(根据客户定制)

详细信息请联系我们https://www.yjz.top/website/index.php?_m=wp_frontpage&_a=index&id=92&sessionid=a1cf0ee65d517f2c5ef5ee48baa7c521



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